近场静电纺丝的应用

低压近场静电纺丝技术通过减小纺丝距离降低纺丝电压，既能减少能耗又能提高安全系数，而且有效地解决了传统静电纺丝过程的不稳定性，实现了纤维的可控沉积，为满足目前工业化生产中对大规模制备微纳米纤维以及控制纤维形貌的需求提供可能，因此在纳米直写技术、纳米纤维大面积有序沉积、纳米纤维高精度沉积、微电子系统等领域具有非常大的应用前景。

Sun 等在前期对近场电纺直写有序纳米纤维的研究基础上，探索出近场电纺技术制备纳米沟道的方法。首先利用近场静电纺丝技术将纳米纤维按预定轨道直接沉积在衬底上，之后在衬底上磁控溅射一层金膜作沟道材料，后将该衬底在lu仿中进行超声清洗，纳米纤维及覆盖在其上的金即被剥离，进而形成一条纳米沟道。实验表明，沟道的宽度和形状受近场电纺工艺参数的影响，当近场电压从1.2kV 变化到2.5kV 时，相应的沟道宽度从133nm 变化到13.54um。此外，除去直线型纳米沟道，通过调节基底的移动规律还可制备网格状及波浪状纳米沟道。

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